m-plane GaN layers grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy with varying Ga/N flux ratios on m-plane 4H-
m-plane GaN layers grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy with varying Ga/N flux ratios on m-plane 4H-
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m 面 GaN 层通过射频等离子体辅助分子束外延生长，在 m 面 4H- 上具有不同的 Ga/N 通量比
DOI：
--
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Kimoto T
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Armitage R;Horita M;Suda J;Kimoto T
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影响因子：
4
作者：
K. Omae;T. Flissikowski;P. Misra;O. Brandt;H. Grahn;K. Kojima;Y. Kawakami
通讯作者：
K. Omae;T. Flissikowski;P. Misra;O. Brandt;H. Grahn;K. Kojima;Y. Kawakami
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影响因子：
3.3
作者：
O. Brandt;Yue Sun;L. Däweritz;K. Ploog
通讯作者：
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DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Applied Physics Letters 88・1
影响因子：
--
作者：
R.Armitage;J.Suda;T.Kimoto
通讯作者：
T.Kimoto
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3.2
作者：
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通讯作者：
Daudin, B
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1.2
作者：
T. Y. Liu;A. Trampert †;Y. Sun;O. Brandt;K. Ploog
通讯作者：
K. Ploog