Stress control and dislocation reduction in the initial growth of GaN on Si (111) substrates by using a thin GaN transition layer
Stress control and dislocation reduction in the initial growth of GaN on Si (111) substrates by using a thin GaN transition layer
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使用薄 GaN 过渡层控制 Si (111) 衬底上 GaN 初始生长过程中的应力控制和位错减少
DOI：
10.1039/c9ce00744j
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发表时间：
2019-08
期刊：
影响因子：
3.1
通讯作者：
Yu Tongjun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Kun;Li Mengda;Yang Zhijian;Wu Jiejun;Yu Tongjun
A thin GaN transition layer technology is proposed to control stress and reduce the dislocation density in the initial GaN growth.
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影响因子：
4
作者：
Kapolnek, D;Keller, S;Mishra, UK
通讯作者：
Mishra, UK
影响因子：
0.6
作者：
S. Kukushkin;V. Bessolov;A. Osipov;A. V. Luk’yanov
通讯作者：
S. Kukushkin;V. Bessolov;A. Osipov;A. V. Luk’yanov
影响因子：
2.7
作者：
Nix, WD;Clemens, BM
通讯作者：
Clemens, BM
影响因子：
4
作者：
W. Tsai;F. Lin;W. Ke;Shufeng Lu;Shun-Jen Cheng;W. Chou;Wei-Kuo Chen;M. Lee;Wen‐Hao Chang-Wen‐Hao-Chan
通讯作者：
W. Tsai;F. Lin;W. Ke;Shufeng Lu;Shun-Jen Cheng;W. Chou;Wei-Kuo Chen;M. Lee;Wen‐Hao Chang-Wen‐Hao-Chan
DOI：
10.1098/rsta.1951.0006
发表时间：
1951-01-01
影响因子：
--
作者：
BURTON, WK;CABRERA, N;FRANK, FC
通讯作者：
FRANK, FC