Variability characterisation of nanoscale Si and InGaAs FinFETs at subthreshold
Variability characterisation of nanoscale Si and InGaAs FinFETs at subthreshold
复制标题
纳米级 Si 和 InGaAs FinFET 亚阈值的可变性表征
DOI：
10.1109/vari.2014.6957085
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Indalecio G
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Indalecio G
纳米 InGaAs FinFET 中的随机掺杂剂、线边缘粗糙度和栅极功函数变化
影响因子：
3.1
作者：
N. Seoane;G. Indalecio;E. Comesaña;M. Aldegunde;A. García;K. Kalna
通讯作者：
K. Kalna
界面态陷阱密度对 n 型、增强型、无注入 In0.3Ga0.7As MOSFET 特性的影响
影响因子：
2.3
作者：
Ayubi-Moak J
通讯作者：
Ayubi-Moak J