Effect of interface state trap density on the characteristics of n-type, enhancement-mode, implant-free In0.3Ga0.7As MOSFETs
Effect of interface state trap density on the characteristics of n-type, enhancement-mode, implant-free In0.3Ga0.7As MOSFETs
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界面态陷阱密度对 n 型、增强型、无注入 In0.3Ga0.7As MOSFET 特性的影响
DOI：
10.1016/j.mee.2009.03.024
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发表时间：
2009
影响因子：
2.3
通讯作者：
Ayubi-Moak J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ayubi-Moak J
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