Molecular Beam Epitaxy of BaSi2 Films with Grain Size over 4 µm on Si(111)
Molecular Beam Epitaxy of BaSi2 Films with Grain Size over 4 µm on Si(111)
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Si(111) 上晶粒尺寸超过 4 µm 的 BaSi2 薄膜的分子束外延
DOI：
10.1143/jjap.51.098003
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发表时间：
2012
影响因子：
1.5
通讯作者：
T. Suemasu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Baba;K. Nakamura;W. Du;M. A. Khan;Shintaro Koike;K. Toko;N. Usami;N. Saito;N. Yoshizawa;T. Suemasu
采用反应沉积外延（RDE）和分子束外延（MBE）两步法在Si（111）衬底上生长了100 nm厚的BaSi 2外延薄膜。在RDE期间，Ba沉积速率和持续时间分别从0.25至1.0 nm/min和从5至120 min变化。平面图透射电子显微照片表明，MBE生长的BaSi 2的晶粒尺寸显著依赖于RDE生长条件，从约0.2 μ m到4 μm以上不等。
100-nm-thick BaSi2 epitaxial films were grown on Si(111) substrates by a two-step growth method including reactive deposition epitaxy (RDE) and molecular beam epitaxy (MBE). The Ba deposition rate and duration were varied from 0.25 to 1.0 nm/min and from 5 to 120 min during RDE, respectively. Plan-view transmission electron micrographs indicated that the grain size in the MBE-grown BaSi2 was significantly dependent on the RDE growth conditions and was varied from approximately 0.2 to more than 4 µm.
铝诱导结晶法(111)取向硅层在SiO_2衬底上生长半导体BaSi_2的光响应性能
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
Applied Physics Express 2
影响因子：
--
作者：
D. Tsukada;Y. Matsumoto;R. Sasaki;M. Takeishi;T. Saito;N. Usami and T. Suemasu
通讯作者：
N. Usami and T. Suemasu
Si(111)上分子束外延生长半导体BaSi_2薄膜的光响应特性
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Applied Physics Express 2
影响因子：
--
作者：
Y. Matsumoto;D. Tsukada;R. Sasaki;M. Takeishi and T. Suemasu
通讯作者：
M. Takeishi and T. Suemasu
影响因子：
4
作者：
Du, Weijie;Suzuno, Mitsushi;Suemasu, Takashi
通讯作者：
Suemasu, Takashi