Photoresponse Properties of Semiconducting BaSi_2 Grown on SiO_2 Substrates Using(111)-Oriented Si Layers by an Aluminum-induced Crystallization Method
Photoresponse Properties of Semiconducting BaSi_2 Grown on SiO_2 Substrates Using(111)-Oriented Si Layers by an Aluminum-induced Crystallization Method
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铝诱导结晶法(111)取向硅层在SiO_2衬底上生长半导体BaSi_2的光响应性能
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N. Usami and T. Suemasu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Tsukada;Y. Matsumoto;R. Sasaki;M. Takeishi;T. Saito;N. Usami and T. Suemasu
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DOI：
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