Growth condition dependence of structural and electrical properties of Mg2Si layers grown on silicon substrates
Growth condition dependence of structural and electrical properties of Mg2Si layers grown on silicon substrates
复制标题
在硅衬底上生长的 Mg2Si 层的结构和电学特性的生长条件依赖性
DOI：
10.1016/j.vacuum.2009.06.055
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发表时间：
2009-08
期刊：
影响因子：
4
通讯作者：
Hirokazu Tatsuoka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Junhua Hu;Yusei Sato;Tetsurou Hosono;Hirokazu Tatsuoka
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影响因子：
2.1
作者：
Yusuke Mizuyoshi;R. Yamada;T. Ohishi;Yoshiro Saito;T. Koyama;Y. Hayakawa;Takashi Matsuyama;H. Tatsuoka
通讯作者：
Yusuke Mizuyoshi;R. Yamada;T. Ohishi;Yoshiro Saito;T. Koyama;Y. Hayakawa;Takashi Matsuyama;H. Tatsuoka
影响因子：
2.1
作者：
M. Park;Hyun-Kyu Yu;J. Koo;Jin Jang;K. Nam
通讯作者：
M. Park;Hyun-Kyu Yu;J. Koo;Jin Jang;K. Nam
影响因子：
2.1
作者：
BALLUFFI, RW;BLAKELY, JM
通讯作者：
BLAKELY, JM
DOI：
10.1016/s0921-5107(99)00301-3
发表时间：
2000-01
影响因子：
3.6
作者：
S. Brehme;P. Kanschat;K. Lips;I. Sieber;W. Fuhs
通讯作者：
S. Brehme;P. Kanschat;K. Lips;I. Sieber;W. Fuhs
影响因子：
2.1
作者：
OLOWOLAFE, JO;NICOLET, MA;MAYER, JW
通讯作者：
MAYER, JW