Organic spin valves with nonvolatile memory using molecular doping
Organic spin valves with nonvolatile memory using molecular doping
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使用分子掺杂的具有非易失性存储器的有机自旋阀
DOI：
10.1016/j.synthmet.2020.116676
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发表时间：
2021-03
期刊：
影响因子：
4.4
通讯作者：
Xin Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P. Wang;Bo Chen;Xin Wang
摘要近年来报道了几种集磁阻效应和非易失性记忆效应于一体的多功能有机自旋阀（osv）。在大多数情况下，采用单一的未修饰有机层，记忆效应的潜在机制尚不完全清楚。在此，我们提出了一种简单有效的方法，通过掺杂夹层器件的有机中间层来实现osv中的非易失性存储器，这将在有机中间层中引入陷阱并影响电荷和自旋输运。掺杂的osv表现出电流电压迟滞和可逆的电阻开关行为，表明实现了非易失性存储器。陷阱控制的空间电荷限制电流模型可以解释掺杂osv的记忆效应，结合基于超精细相互作用的自旋扩散理论也可以解释不同电阻状态下相应的MR变化。
Abstract Recently, several multifunctional organic spin valves (OSVs) integrating both magnetoresistance (MR) effect and nonvolatile memory effect were reported. In most cases, single unmodified organic layers were employed, and the underlying mechanism of the memory effect was not fully understood. Here, we present a simple and effective method to achieve nonvolatile memory in OSVs by doping the organic interlayer of the sandwich device, which will introduce traps in the organic interlayer and affect charge and spin transport. The doped OSVs exhibit a current-voltage hysteresis and reversible resistive switching behavior, indicating that the nonvolatile memory is achieved. The trap-controlled space-charge-limited current model can explain the memory effect of the doped OSVs, and combined with spin diffusion theory based on hyperfine interaction it can also explain the corresponding MR changes under different resistance states.
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通讯作者：
F. Lindner;K. Walzer;K. Leo
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作者：
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通讯作者：
A. Moliton;W. Rammal;B. Lucas
DOI：
10.1088/0031-9112/21/12/031
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A. Stoneham
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