A Special Sampling Structure with an Arbitrary Equivalent-Phase-Shift for Semiconductor Lasers and Multiwavelength Laser Arrays
A Special Sampling Structure with an Arbitrary Equivalent-Phase-Shift for Semiconductor Lasers and Multiwavelength Laser Arrays
复制标题
半导体激光器和多波长激光阵列的任意等效相移特殊采样结构
DOI：
10.1088/0256-307x/28/7/074207
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发表时间：
2011-06
影响因子：
3.5
通讯作者：
Liu Sheng-Chun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li Si-Min;Chen Xiang-Fei;Zhou Ya-Ting;Shi Yue-Chun;Liu Sheng-Chun
报道了一种在非对称取样布拉格光栅(SBG)中引入任意等效相移(EPS)的方法。在除采样模式外的相同结构参数下，非对称SBG在保持单纵模(SLM)运转方面比常规SBG结构具有更好的性能。这是因为所提出的采样图案可以抑制由于沿整个SBG的两个不同的栅段之间的失配而产生的0阶光共振。这种方法可以用来设计和制造具有所需EPS的半导体激光器和多波长激光阵列(MLA)，并且具有高成品率和低成本。
A method used to introduce an arbitrary equivalent-phase-shift (EPS) into an asymmetric sampled Bragg grating (SBG) is reported. Under the same structural parameters except for the sampling pattern, the asymmetric SBG offers better performance than that of a normal SBG structure for keeping single-longitudinal-mode (SLM) operation. This is because the proposed sampling pattern can suppress the 0th-order light resonance due to the mismatch between the two different grating sections along the whole SBG. This method can be used to design and fabricate semiconductor lasers and multiwavelength laser arrays (MLAs) with the required EPS at high yield and low cost.
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