Electrically conductive and optically active porous silicon nanowires.
Electrically conductive and optically active porous silicon nanowires.
复制标题
导电和光学活性多孔硅纳米线。
DOI：
10.1021/nl903030h
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发表时间：
2009-12
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
Duan X
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qu Y;Liao L;Li Y;Zhang H;Huang Y;Duan X
我们报道了在氢氟酸和过氧化氢溶液中，通过两步金属辅助化学腐蚀高掺杂n型硅(100)晶片来合成垂直硅纳米线阵列。通过控制腐蚀液中过氧化氢的浓度，生长的硅纳米线的形貌可以从固体无孔纳米线、无孔/纳米孔核/壳纳米线和完全纳米孔纳米线进行调节。多孔硅纳米线保持了原始硅片的单晶结构和晶体取向，并具有导电和光学活性，具有可见光致发光。多孔硅纳米线的电学和光学特性的结合为新型光电子器件的能量采集、转换和生物传感提供了平台。
We report the synthesis of vertical silicon nanowire array through a two-step metal-assisted chemical etching of highly doped n-type silicon (100) wafers in a solution of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide. The morphology of the as-grown silicon nanowires is tunable from solid nonporous nanowires, nonporous/nanoporous core/shell nanowires, and entirely nanoporous nanowires by controlling the hydrogen peroxide concentration in the etching solution. The porous silicon nanowires retain the single crystalline structure and crystallographic orientation of the starting silicon wafer, and are electrically conductive and optically active with visible photoluminescence. The combination of electronic and optical properties in the porous silicon nanowires may provide a platform for the novel optoelectronic devices for energy harvesting, conversion and biosensing.
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