Photoluminescence of Si-rich silicon nitride: Defect-related states and silicon nanoclusters
Photoluminescence of Si-rich silicon nitride: Defect-related states and silicon nanoclusters
复制标题
富硅氮化硅的光致发光：缺陷相关态和硅纳米团簇
DOI：
10.1063/1.2717014
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发表时间：
2007-03
影响因子：
4
通讯作者：
Que, Duanlin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yuan, Zhizhong;Yang, Deren;Wang, Minghua;Li, Dongsheng;Que, Duanlin
在富硅氮化硅薄膜中同时观察到缺陷相关态和硅纳米团簇的光致发光。在514.5nm激发下，1100°C退火的Si纳米团簇的红光发射较弱。
The photoluminescence (PL) from defect-related states and Si nanoclusters was observed in the Si-rich silicon nitride films simultaneously. The weaker red-light emission of Si nanoclusters was obtained in the 1100°C annealed films with the 514.5nm excitat
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K. Cho;N. Park;Taeyoub Kim;Kyung‐Hyun Kim;G. Sung;J. Shin
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