Estimating and enhancing the yield of tunneling SRAM cells by simulation
Estimating and enhancing the yield of tunneling SRAM cells by simulation
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通过仿真估计和提高隧道 SRAM 单元的产量
DOI：
10.1109/isdrs.2011.6135151
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zuo D
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zuo D
DOI：
10.1109/iedm.1998.746390
发表时间：
1998-12
期刊：
International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217)
影响因子：
--
作者：
A. Seabaugh;X. Deng;B. Brar;T. Broekaert;R. Lake;F. Morris;G. Frazier
通讯作者：
A. Seabaugh;X. Deng;B. Brar;T. Broekaert;R. Lake;F. Morris;G. Frazier
基于谐振隧道二极管 (RTD) 的高性能存储系统的设计与分析（集成电子和新系统范式特刊）
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Uemura;P. Mazumder
通讯作者：
P. Mazumder
对于所提出的电子设备应用来说，隧道电流的变化不可接受
影响因子：
1.9
作者：
M. Kelly
通讯作者：
M. Kelly