Pixelated CdZnTe detector based on Topmetal-IIa readout chip
Pixelated CdZnTe detector based on Topmetal-IIa readout chip
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基于Topmetal-IIa读出芯片的像素化CdZnTe探测器
DOI：
10.1016/j.nima.2018.10.146
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发表时间：
2019-04
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zhang Dongliang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fan Yan;Gao Chaosong;Huang Guangming;Li Zili;Pei Hua;Sun Xiangming;Sima Ruiheng;Wang Dong;Wang Zhen;Yang Ping;Zou Shuguang;Zhang Dongliang
为了解决Topmetal-I I−的漏电流饱和问题，并保持其低噪声，设计了Topmetal-I I a。新芯片具有与Topmetal-I I-相同的卷帘快门模块。它包含一个电荷收集电极和一个围绕它的金属层，称为保护环。这个新设计包含三个不同的部分。部分A具有与Topmetal-I I-相同的结构，其中电极暴露并且保护环被绝缘层覆盖。部分B的电极和保护环均暴露。C段保护环外露，但电极被绝缘层覆盖。初步实验表明，Topmetal-I Ⅰ a芯片C段与CdZnTe探测器耦合，能够解决漏电流饱和问题。同时，电极接收感应信号。此外，电荷感应效率的影响的几个参数，如粘接环氧树脂的厚度，收集电极的尺寸等，因此，优化的参数感应效率进行了研究，通过模拟。根据模拟结果，可以得出结论，较薄的环氧树脂厚度和较大的阳极尺寸有助于提高感应效率。
In order to solve the leakage current saturation of Topmetal-I I− and to maintain its low noise, Topmetal-I I a has been designed. The new chip has the same Rolling-Shutter module as Topmetal-I I−. It contains a charge-collection electrode and a metal layer surrounding it, called guard ring. This new design contains three different sections. Section A has the same structure as Topmetal-I I−, in that the electrode is exposed and guard ring is covered by insulating layer. Section B has both electrode and guard ring exposed. Section C has guard ring exposed but electrode covered by insulating layer. Preliminary experiments show that if coupled with CdZnTe detector, Section C of the Topmetal-I I a chip is capable of solving the leakage current saturation. Meanwhile, the electrode receives induced signal. Moreover, the charge induction efficiency is influenced by several parameters, such as thickness of adhesive epoxy resin, collecting electrode size, etc. Thus, the optimization of parameters for induction efficiency is studied by simulations. According to the simulation results, it can be concluded that thinner epoxy resin thickness and bigger anode size contribute to higher induction efficiency.
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低噪声 CMOS 像素直充传感器 Topmetal-II-
DOI：
10.1016/j.nima.2015.11.153
发表时间：
2015-09
影响因子：
1.4
作者：
An Mangmang;Chen Chufeng;Gao Chaosong;Han Mikyung;Ji Rong;Li Xiaoting;Mei Yuan;Sun Quan;Sun Xiangming;Wang Kai;Xiao Le;Yang Ping;Zhou Wei
通讯作者：
Zhou Wei
影响因子：
1.3
作者：
Z. Vykydal;A. Fauler;M. Fiederle;J. Jakubek;M. Svestkova;A. Zwerger
通讯作者：
Z. Vykydal;A. Fauler;M. Fiederle;J. Jakubek;M. Svestkova;A. Zwerger
影响因子：
1.3
作者：
Iniewski, K.
通讯作者：
Iniewski, K.
DOI：
10.1016/j.nima.2016.05.125
发表时间：
2016-01
影响因子：
1.4
作者：
S. Zou;Yan Fan;M. An;Chufeng Chen;Guangming Huang;Xiaoting Li;Jun Liu;H. Pei;Xiangming Sun;P. Yang;Dong Wang;L. Xiao;Zhen Wang;Kai Wang;W. Zhou
通讯作者：
S. Zou;Yan Fan;M. An;Chufeng Chen;Guangming Huang;Xiaoting Li;Jun Liu;H. Pei;Xiangming Sun;P. Yang;Dong Wang;L. Xiao;Zhen Wang;Kai Wang;W. Zhou
基于 Topmetal-II 传感器的高度像素化 CdZnTe 探测器
影响因子：
3.6
作者：
Zou Shu-Guang;Fan Yan;Sun Xiang-Ming;Huang Guang-Ming;Pei Hua;Wang Zhen;Liu Jun;Yang Ping;Wang Dong
通讯作者：
Wang Dong