Enhanced light trapping in Ge-on-Si-on-insulator photodetector by guided mode resonance effect
Enhanced light trapping in Ge-on-Si-on-insulator photodetector by guided mode resonance effect
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通过导模共振效应增强绝缘体上硅基Ge光电探测器的光捕获
DOI：
10.1063/1.5031453
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发表时间：
2018-08
影响因子：
3.2
通讯作者：
Qiming Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhi Liu;Jietao Liu;Buwen Cheng;Jun Zheng;Chuanbo Li;Chunlai Xue;Qiming Wang
我们提出了一种薄膜Ge-on-Si-on-Insulator（Ge-on-SOI）光电探测器，它利用绝缘体上硅（SOI）上的Ge/SiO2光栅诱导导模共振（GMR）来增强性能。数值计算结果与理论分析
We propose a thin-film Ge-on-Si-on-insulator (Ge-on-SOI) photodetector with enhanced performance by exploiting induced guided mode resonance (GMR) employing Ge/SiO2 grating on Si-on-insulator (SOI). Numerically calculated results and theoretical analysis
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影响因子：
4
作者：
Colace, L;Balbi, M;Kimerling, LC
通讯作者：
Kimerling, LC
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作者：
Bo Yuan;Fan Zhang;T. Ning
通讯作者：
Bo Yuan;Fan Zhang;T. Ning
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2.1
作者：
G. Wang;R. Loo;S. Takeuchi;L. Souriau;J. C. Lin;A. Moussa;H. Bender;B. D. Jaeger;P. Ong;W. Lee;M. Meuris;M. Caymax;W. Vandervorst;B. Blanpain;M. Heyns
通讯作者：
G. Wang;R. Loo;S. Takeuchi;L. Souriau;J. C. Lin;A. Moussa;H. Bender;B. D. Jaeger;P. Ong;W. Lee;M. Meuris;M. Caymax;W. Vandervorst;B. Blanpain;M. Heyns
影响因子：
35
作者：
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通讯作者：
Miller, David A. B.
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作者：
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通讯作者：
Brongersma, Mark L.