Weak localization in graphene: theory, simulations, and experiments.
Weak localization in graphene: theory, simulations, and experiments.
复制标题
石墨烯中的弱定位：理论，模拟和实验。
DOI：
10.1155/2014/737296
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发表时间：
2014
影响因子：
--
通讯作者：
Yu V
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hilke M;Massicotte M;Whiteway E;Yu V
我们提供了一个全面的图片在非量子化磁场的限制在石墨烯单层的磁输运。通过理论、实验和数值模拟，我们讨论了不同迁移率的石墨烯器件的双载流子输运、弱局域化、弱反局域化和强局域化的影响。特别是，我们观察到一个最小值的弱本地化和强本地化长度让人想起的最小值的电导率，这使我们能够使弱和强本地化之间的连接。这为两种定位提供了一个统一的框架，解释了观察到的实验特征。我们将这些结果与数值模拟进行比较，发现理论、实验和数值计算之间存在显著的一致性。在这项研究中使用了各种石墨烯器件，包括在不同衬底上的石墨烯，例如玻璃和硅，以及低和高迁移率器件。
We provide a comprehensive picture of magnetotransport in graphene monolayers in the limit of nonquantizing magnetic fields. We discuss the effects of two-carrier transport, weak localization, weak antilocalization, and strong localization for graphene devices of various mobilities, through theory, experiments, and numerical simulations. In particular, we observe a minimum in the weak localization and strong localization length reminiscent of the minimum in the conductivity, which allows us to make the connection between weak and strong localization. This provides a unified framework for both localizations, which explains the observed experimental features. We compare these results to numerical simulation and find a remarkable agreement between theory, experiment, and numerics. Various graphene devices were used in this study, including graphene on different substrates, such as glass and silicon, as well as low and high mobility devices.
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影响因子：
2.1
作者：
Bolotin, K. I.;Sikes, K. J.;Stormer, H. L.
通讯作者：
Stormer, H. L.
影响因子：
8.6
作者：
McCann, E.;Kechedzhi, K.;Altshuler, B. L.
通讯作者：
Altshuler, B. L.
DOI：
10.1073/pnas.0502848102
发表时间：
2005-07-26
影响因子：
11.1
作者：
Novoselov, KS;Jiang, D;Geim, AK
通讯作者：
Geim, AK
影响因子：
3.7
作者：
Ki, Dong-Keun;Jeong, Dongchan;Park, Kee-Su
通讯作者：
Park, Kee-Su
影响因子：
4
作者：
Dorgan, Vincent E.;Bae, Myung-Ho;Pop, Eric
通讯作者：
Pop, Eric