Temperature-dependent charge barrier height of amorphous germanium contact detector
Temperature-dependent charge barrier height of amorphous germanium contact detector
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非晶锗接触探测器随温度变化的电荷势垒高度
DOI：
10.1016/j.nima.2022.166862
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wang, Guojian
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Panth, Rajendra;Wei, Wenzhao;Mei, Dongming;Liu, Jing;Bhattarai, Sanjay;Mei, Hao;Raut, Mathbar;Acharya, Pramod;Kooi, Kyler;Wang, Guojian
对具有非晶态 Ge (a-Ge) 触点的锗 (Ge) 探测器的探索引起了人们对暗物质和中微子双 β 衰变等罕见事件物理学的研究的关注。沉积在探测器表面的a-Ge触点的电荷势垒高度（CBH）对于抑制探测器的漏电流以实现低能量探测阈值和高能量分辨率至关重要。分析了三个 Ge 探测器的 a-Ge 触点与温度相关的 CBH，以研究体泄漏电流 (BLC) 特性。这些探测器是在南达科他大学使用本土晶体制造的。当探测器在具有保护环结构的反向偏置模式下工作时，CBH 由 BLC 确定，该保护环结构将 BLC 与表面泄漏电流 (SLC) 分开。结果表明 CBH 与温度相关。 CBH 变化与温度的直接关系与 a-Ge 和晶体 Ge 界面上产生的势垒不均匀性有关。使用三个探测器的高斯分布模型分析了界面处出现的不均匀性。
The exploration of germanium (Ge) detectors with amorphous Ge (a-Ge) contacts has drawn attention to the searches for rare-event physics such as dark matter and neutrinoless double-beta decay. The charge barrier height (CBH) of the a-Ge contacts deposited on the detector surface is crucial to suppress the leakage current of the detector in order to achieve a low-energy detection threshold and high-energy resolution. The temperature-dependent CBH of a-Ge contacts for three Ge detectors is analyzed to study the bulk leakage current (BLC) characteristics. The detectors were fabricated at the University of South Dakota using homegrown crystals. The CBH is determined from the BLC when the detectors are operated in the reverse bias mode with a guard-ring structure, which separates the BLC from the surface leakage current (SLC). The results show that CBH is temperature dependent. The direct relation of the CBH variation to temperature is related to the barrier inhomogeneities created on the interface of a-Ge and crystalline Ge. The inhomogeneities that occur at the interface were analyzed using the Gaussian distribution model for three detectors.
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大尺寸高纯Ge晶体的晶体生长和探测器性能
影响因子：
4.1
作者：
Guojian Wang;M. Amman;H. Mei;D. Mei;K. Irmscher;Y. Guan;Gang Yang
通讯作者：
Gang Yang
具有非晶半导体触点的锗正交带状探测器
DOI：
10.1109/nssmic.1999.842475
发表时间：
1999
期刊：
1999 IEEE Nuclear Science Symposium. Conference Record. 1999 Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (Cat. No.99CH37019)
影响因子：
--
作者：
P. Luke;M. Amman;B. Phlips;W. N. Johnson;R. A. Koreger
通讯作者：
R. A. Koreger
DOI：
10.1088/1361-6471/ab9796
发表时间：
2019-09
期刊：
arXiv: Instrumentation and Detectors
影响因子：
--
作者：
D. Mei;Mukund Bharadwaj;W.-Z. Wei;R. Panth;Jing Liu;H. Mei;Yangyang Li;P. Acharya;S. Bhattarai;K. Kooi;M. Raut;Xiansong Sun;Alex Kirkvold;Kunming Dong;Xianghua Meng;Guojian Wang;Gang Yang
通讯作者：
D. Mei;Mukund Bharadwaj;W.-Z. Wei;R. Panth;Jing Liu;H. Mei;Yangyang Li;P. Acharya;S. Bhattarai;K. Kooi;M. Raut;Xiansong Sun;Alex Kirkvold;Kunming Dong;Xianghua Meng;Guojian Wang;Gang Yang
用于伽马射线、X射线和核辐射探测的半导体器件。
DOI：
--
发表时间：
1972
期刊：
Journal of Physics E Scientific Instruments
影响因子：
--
作者：
A. Muggleton
通讯作者：
A. Muggleton
用 GERDA 寻找无中微子双 β 衰变
DOI：
10.1088/1742-6596/1342/1/012005
发表时间：
2017
期刊：
Journal of Physics: Conference Series
影响因子：
--
作者：
Guojian Wang;H. Mei;D. Mei;Y. Guan;Gang Yang
通讯作者：
Gang Yang