IN-SITU TEM INVESTIGATION OF STRUCTURAL CHANGES IN ZIRCONIA/SILICON HETEROSTRUCTURES
IN-SITU TEM INVESTIGATION OF STRUCTURAL CHANGES IN ZIRCONIA/SILICON HETEROSTRUCTURES
复制标题
氧化锆/硅异质结构结构变化的原位 TEM 研究
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Nobuyasu MIZUTANI
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Takanori KIGUCHI;Naoki WAKIYA;Kazuo SHINOZAKI;Nobuyasu MIZUTANI
登录
查看更多内容
Si(100)表面氧化铈、氧化钇稳定氧化锆和氧化铈-氧化锆混合物薄膜的初始阶段和生长过程
影响因子：
1.5
作者：
Tadahiko Hirai;K. Teramoto;H. Koike;Kazuhito Nagashima Kazuhito Nagashima;Yasuo Tarui Yasuo Tarui
通讯作者：
Yasuo Tarui Yasuo Tarui
ZrOCl2溶液水解生成水合氧化锆颗粒的形成机理：四、ZrOCl2浓度和反应温度的影响
DOI：
10.1111/j.1151-2916.2002.tb00131.x
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Matsui;M. Ohgai
通讯作者：
M. Ohgai
影响因子：
3.2
作者：
BARDAL, A;MATTHEE, T;SAMWER, K
通讯作者：
SAMWER, K
Si 上带有 Y 稳定 ZrO2 和 Y2O3 缓冲层的 YBa2Cu3O7-δ 薄膜：界面的高分辨率电子显微镜
影响因子：
4
作者：
A. Bardal;M. Zwerger;O. Eibl;J. Wecker;T. Matthée
通讯作者：
T. Matthée
电化学阻抗谱技术分析ZrO2:Y2O3固溶体的形成
DOI：
10.1016/s0167-2738(02)00184-4
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
F. C. Fonseca;E. Muccillo;R. Muccillo
通讯作者：
R. Muccillo