Improved Performance of GaN-Based Light-Emitting Diodes via AlInGaN/InGaN Electron-Emitting Layer
Improved Performance of GaN-Based Light-Emitting Diodes via AlInGaN/InGaN Electron-Emitting Layer
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通过 AlInGaN/InGaN 电子发射层提高 GaN 基发光二极管的性能
DOI：
10.1143/apex.5.112101
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发表时间：
2012-10
影响因子：
2.3
通讯作者：
Fang, Yanyan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Jianbao;Chen, Changqing;Wu, Zhihao;Li, Yang;Xu, Jin;Zhang, Wei;Xiong, Hui;Tian, Yu;Dai, Jiangnan;Fang, Yanyan
使用 AlInGaN/InGaN 多量子阱 (MQW) 作为插入有源 MQW 区域和 n-GaN 包覆层之间的电子发射层，GaN 基发光二极管 (LED) 的性能得到了改善。与传统电子发射层的GaN/InGaN MQW相比，在保持几乎相同的正向电压的同时，光输出功率可进一步增强约20%。随着注入电流的增加，具有AlInGaN/InGaN MQW电子发射层的LED的外量子效率表现出较小的效率下降。此外，具有AlInGaN/InGaN MQW电子发射层的LED的负静电放电耐受电压明显更高。
Improved performance of GaN-based light-emitting diodes (LEDs) using AlInGaN/InGaN multiple quantum wells (MQWs) as an electron-emitting layer inserted between the active MQW region and n-GaN cladding layer has been demonstrated. Compared with the conventional electron-emitting layer of GaN/InGaN MQWs, the light output power can be further enhanced by about 20%, while maintaining almost the same forward voltage. As the injection current increases, the external quantum efficiency of LEDs with the AlInGaN/InGaN MQW electron emitting layer exhibits a smaller efficiency droop. In addition, the negative electrostatic discharge endurance voltage of LEDs with the AlInGaN/InGaN MQW electron emitting layer is significantly higher.
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DOI：
10.1364/cleo_at.2012.jw3l.2
发表时间：
2011-12
期刊：
2012 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO)
影响因子：
--
作者：
David S. Meyaard;Guan-Bo Lin;Q. Shan;Jaehee Cho;E. F. Schubert;Hyun Wook Shim;Min-ho Kim;C. Sone
通讯作者：
David S. Meyaard;Guan-Bo Lin;Q. Shan;Jaehee Cho;E. F. Schubert;Hyun Wook Shim;Min-ho Kim;C. Sone
DOI：
10.1002/1521-396x(200007)180:1
发表时间：
2000-07
期刊：
Physica Status Solidi (a)
影响因子：
--
作者：
Tao Yang;K. Uchida;T. Mishima;J. Kasai;J. Gotoh
通讯作者：
Tao Yang;K. Uchida;T. Mishima;J. Kasai;J. Gotoh
影响因子：
8.6
作者：
Hangleiter, A;Hitzel, F;Hinze, P
通讯作者：
Hinze, P
影响因子：
1.7
作者：
Mnatsakanov, TT;Levinshtein, ME;Khan, MA
通讯作者：
Khan, MA