Surface states of wet chemically etched n-Si(1 1 1):H surfaces
Surface states of wet chemically etched n-Si(1 1 1):H surfaces
复制标题
湿法化学蚀刻的n-Si(1 1 1):H表面的表面状态
DOI：
10.1016/j.electacta.2012.10.138
复制
发表时间：
2013
影响因子：
6.6
通讯作者：
W. Schindler
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Jakob;W. Schindler
在湿化学腐蚀的n-Si（111）：H表面与0.1M H_2SO_4水溶液接触时的阻抗测量表明，在n-Si（111）：H带隙中，在350 mV的电位范围内存在与表面态相关的电容。阻抗数据的详细分析允许识别三个不同的表面态能级有助于观察到的表面态电容。这些能级与相互扩散到n-Si（111）：H次表面区域中的氢的电子态一致，例如，在n-Si（111）：H表面的湿化学制备期间发生。在n-Si（111）：H次表面区域中观测到的态密度为（1014-1015）cm−3量级。
Impedance measurements at wet chemically etched n-Si(111):H surfaces in contact with the aqueous electrolyte 0.1M H2SO4reveal a surface state related capacitance extending over a potential range of 350mV in the n-Si(111):H band gap. A detailed analysis of the impedance data allows to identify three different surface state energy levels contributing to the observed surface state capacitance. These energy levels coincide with electronic states of hydrogen interdiffused into the n-Si(111):H subsurface region, which occurs, for example, during the wet chemical preparation of n-Si(111):H surfaces. The density of the observed states in the n-Si(111):H subsurface region is of the order of (1014–1015)cm−3.
登录
查看更多内容
通过交流电阻测量确定高频中硅电极的平带电势
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Ottow;G. Popkirov;H. Föll
通讯作者：
H. Föll
晶体硅中的氢：深层供体？
DOI：
--
发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Capizzi;A. Mittiga
通讯作者：
A. Mittiga
铜在明确的 n-Si(111):H 表面上的电化学生长
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Reitzle;F. Renner;T.;J. Zegenhagen;D. Kolb
通讯作者：
D. Kolb
纳米级固/液界面的原位扫描探针光谱
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
W. Schindler;M. Hugelmann;P. Hugelmann
通讯作者：
P. Hugelmann
浮区硅和外延n型质子注入硅中与氢相关的缺陷中心
DOI：
--
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Lévêque;P. Pellegrino;A. Hallén;B. Svensson;V. Privitera
通讯作者：
V. Privitera