Intrinsic and atomic layer etching enhanced area-selective atomic layer deposition of molybdenum disulfide thin films
Intrinsic and atomic layer etching enhanced area-selective atomic layer deposition of molybdenum disulfide thin films
复制标题
二硫化钼薄膜的本征和原子层蚀刻增强区域选择性原子层沉积
DOI：
10.1116/6.0002811
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发表时间：
2023
影响因子：
2.9
通讯作者：
Graugnard, Elton
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Soares, Jake;Jen, Wesley;Hues, John D.;Lysne, Drew;Wensel, Jesse;Hues, Steven M.;Graugnard, Elton
DOI：
10.1116/6.0002024
发表时间：
2022-12
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology A
影响因子：
--
作者：
Jake Soares;Steven Letourneau;M. Lawson;A. Mane;Yu Lu;Yaqiao Wu;S. Hues;Lan Li;J. Elam;E. Graugnard
通讯作者：
Jake Soares;Steven Letourneau;M. Lawson;A. Mane;Yu Lu;Yaqiao Wu;S. Hues;Lan Li;J. Elam;E. Graugnard
影响因子：
8.6
作者：
Liu, Tzu-Ling;Bent, Stacey F.
通讯作者：
Bent, Stacey F.
表面反应位点密度和反应性对原子层沉积 WNxCy 薄膜生长的影响
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Hoyas;C. Whelan;J. Schuhmacher;J. Celis;K. Maex
通讯作者：
K. Maex