Reactor structure dependence of interface abruptness in GaInAs/InP and GaInP/GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy
Reactor structure dependence of interface abruptness in GaInAs/InP and GaInP/GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy
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有机金属气相外延生长的 GaInAs/InP 和 GaInP/GaAs 中界面突变的反应器结构依赖性
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Takeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Fujiwara;Y.Nonogaki;R.Oga;A.Koizumi;Y.Takeda
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DOI：
10.1201/9781482282986
发表时间：
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M. O. Manasreh
通讯作者：
M. O. Manasreh
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1992
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作者：
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通讯作者：
K. Heime
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--
发表时间：
1992
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Sixth International Conference Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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通讯作者：
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4
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发表时间：
1993
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作者：
J. P. Wittgreffe;M. J. Yates;S. Perrin;P. C. Spurdens
通讯作者：
P. C. Spurdens