Large Area Nanoparticle Alignment by Chemical Lift-Off Lithography.
Large Area Nanoparticle Alignment by Chemical Lift-Off Lithography.
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DOI：
10.3390/nano8020071
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发表时间：
2018-01-27
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Liao WS
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen CY;Chang CH;Wang CM;Li YJ;Chu HY;Chan HH;Huang YW;Liao WS
纳米颗粒定向技术在机械控制、小尺寸电子、生物/化学传感、分子操作和能量收集等领域有着广泛的应用，引起了人们的广泛关注。然而，精确的纳米颗粒定位和高保真的沉积控制仍然是一个挑战。本文演示了一种通过化学提离光刻（CLL）实现高质量纳米颗粒对准的简单策略。该技术在金衬底上创建高分辨率自组装单层（SAM）化学图案，实现纳米颗粒选择性沉积和精确排列。制备的纳米颗粒排列几何形状和尺寸在大范围内具有良好的可控性。通过适当的纳米颗粒表面功能控制和充分的底物分子操作，可以实现具有单颗粒宽对准分辨率的良好定义的纳米颗粒阵列。
Nanoparticle alignment on the substrate attracts considerable attention due to its wide application in different fields, such as mechanical control, small size electronics, bio/chemical sensing, molecular manipulation, and energy harvesting. However, precise nanoparticle positioning and deposition control with high fidelity are still challenging. Herein, a straightforward strategy for high quality nanoparticle-alignment by chemical lift-off lithography (CLL) is demonstrated. This technique creates high resolution self-assembled monolayer (SAM) chemical patterns on gold substrates, enabling nanoparticle-selective deposition and precise alignment. The fabricated nanoparticle arrangement geometries and dimensions are well-controllable in a large area. With proper nanoparticle surface functionality control and adequate substrate molecular manipulation, well-defined nanoparticle arrays with single-particle-wide alignment resolution are achieved.
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