MBE growth β-FeSi_2 epitaxial film on hydrogen terminated Si(111) substrate
MBE growth β-FeSi_2 epitaxial film on hydrogen terminated Si(111) substrate
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氢封端Si(111)衬底上MBE生长β-FeSi_2外延薄膜
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Y.Ji;et al.
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DOI：
10.1557/proc-116-3
发表时间：
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--
作者：
L. Schowalter
通讯作者：
L. Schowalter
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DOI：
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1987
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--
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A. Mogro
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