Te-doped selective-area grown InAs nanowires for superconducting hybrid devices
Te-doped selective-area grown InAs nanowires for superconducting hybrid devices
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用于超导混合器件的掺碲选择性区域生长 InAs 纳米线
DOI：
10.1103/physrevmaterials.6.024602
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发表时间：
2022
影响因子：
3.4
通讯作者：
Perla P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Perla P
半导体纳米线已经成为超导混合器件中的多功能组件，用于马约拉纳物理和量子计算。纳米线的输运性质可以通过场效应或掺杂来调节。我们研究了一系列的InAs纳米线的导电性已被修改的类型掺杂使用碲。除了电子显微镜的研究，电线也进行了检查，原子探针断层扫描，以获得有关Te原子的本地纳入的信息。发现Te原子主要聚集在纳米线的核心和{110}侧面的拐角处。型掺杂的效率也证实了运输测量。作为一个示范混合器件，约瑟夫森结使用纳米线作为弱连接制造。相应的测量结果表明，随着掺杂浓度的增加，临界电流明显增加。
Semiconductor nanowires have emerged as versatile components in superconducting hybrid devices for Majorana physics and quantum computing. The transport properties of nanowires can be tuned either by field effect or doping. We investigated a series of InAs nanowires the conductivity of which has been modified by-type doping using tellurium. In addition to electron microscopy studies, the wires were also examined with atomic probe tomography to obtain information about the local incorporation of Te atoms. It was found that the Te atoms mainly accumulate in the core of the nanowire and at the corners of the {110} side facets. The efficiency of-type doping was also confirmed by transport measurements. As a demonstrator hybrid device, a Josephson junction was fabricated using a nanowire as a weak link. The corresponding measurements showed a clear increase of the critical current with increase of the dopant concentration.
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