Electron cyclotron resonance reactive ion etching of III-V semiconductors by cyclic injection of CH4/H2/Ar and O2
Electron cyclotron resonance reactive ion etching of III-V semiconductors by cyclic injection of CH4/H2/Ar and O2
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通过循环注入 CH4/H2/Ar 和 O2 对 III-V 半导体进行电子回旋共振反应离子蚀刻
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Nobuo Haneji
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Seok-Hwan Jeong;Tetsuya Mizumoto;Mitsuru Takenaka;Yoshiaki Nakano;Katsumi Nakatsuhara;片桐祥雅;Nutchai Sroymadee;Seok-Hwan Jeong;Doo Gun Kim;Seok-Hwan Jeong;Yoshiaki Nakano;Seok-Hwan Jeong;Mitsuru Takenaka;Seok-Hwan Jeong;K.-N.Hong;Mitsuru Takenaka;K.-N.Hong;Nobuo Haneji
CH4/H2 反应离子蚀刻引起的侧壁损伤的电学评估
影响因子：
1.5
作者：
M. Yuda;S. Kondo;Y. Noguchi;K. Kishi
通讯作者：
K. Kishi
在 CH4/H2 混合物中添加 CO2 对 InGaAs/GaAs 选择性反应离子刻蚀的影响
影响因子：
1.5
作者：
M. Nihei;N. Hara;H. Suehiro;Shigeru Kuroda Shigeru Kuroda
通讯作者：
Shigeru Kuroda Shigeru Kuroda