Effect of annealing temperature on the microstructure and mechanical properties of Ni-Mn-Ga-Gd thin film
Effect of annealing temperature on the microstructure and mechanical properties of Ni-Mn-Ga-Gd thin film
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退火温度对Ni-Mn-Ga-Gd薄膜显微组织和力学性能的影响
DOI：
10.1016/j.jallcom.2016.10.252
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发表时间：
2017-02
影响因子：
6.2
通讯作者：
Sui Jiehe
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yao Jian;Zheng XiaoHang;Cai Wei;Sui Jiehe
研究了快速退火温度对Ni55.2Mn24.7Ga19.9Gd 0.2薄膜的显微组织、马氏体相变和力学性能的影响。结果表明，沉积态薄膜为非晶和奥氏体纳米晶共存的结构。当退火温度高于450 °C时，Ni55.2Mn24.7Ga19.9Gd0.2薄膜具有七层调制马氏体结构。随着退火温度从450 °C增加到750 °C，退火薄膜的平均晶粒尺寸从126 nm增加到596 nm，相变温度也逐渐升高。经550 °C退火后，薄膜的断裂应变为6.1%，抗拉强度为636 MPa。
The influence of rapid thermal annealing temperature on the microstructure, martensitic transformation and mechanical properties of Ni55.2Mn24.7Ga19.9Gd0.2thin films was investigated. It was shown that as-deposited film displayed a coexistence of amorphous and austenite nano-crystals. When the annealing temperature was above 450 °C, Ni55.2Mn24.7Ga19.9Gd0.2thin films possessed seven-layered modulated martensite structure. With annealing temperature increased from 450 °C to 750 °C, the average grain size of annealed films increased from 126 to 596 nm and the transformation temperature also increased gradually. Fracture strain of 6.1% and tensile strength of 636 MPa were obtained for the Ni55.2Mn24.7Ga19.9Gd0.2thin film annealed at 550 °C.
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自支撑纳米晶Ni55.2Mn24.7Ga19.9Gd0.2高温形状记忆薄膜的表征
影响因子：
6.2
作者：
Jian Yao;Xiaohang Zheng;Wei Cai;Jiehe Sui
通讯作者：
Jiehe Sui
影响因子：
6.2
作者：
J. Tillier;D. Bourgault;B. Barbara;S. Pairis;L. Porcar;P. Chometon;D. Dufeu;N. Caillault;L. Carbone
通讯作者：
J. Tillier;D. Bourgault;B. Barbara;S. Pairis;L. Porcar;P. Chometon;D. Dufeu;N. Caillault;L. Carbone
影响因子：
6
作者：
Chernenko, V;Kohl, M;Ohtsuka, M
通讯作者：
Ohtsuka, M
影响因子：
4
作者：
Chernenko, V. A.;Villa, E.;Barandiaran, J. M.
通讯作者：
Barandiaran, J. M.
影响因子：
6
作者：
Yan Li;Y. Xin;Chengbao Jiang;Huibin Xu
通讯作者：
Yan Li;Y. Xin;Chengbao Jiang;Huibin Xu