Space charge layer effects in silicon studied by in situ surface transport
Space charge layer effects in silicon studied by in situ surface transport
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通过原位表面传输研究硅中的空间电荷层效应
DOI：
10.1088/1361-648x/ab094e
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
C. Tegenkamp
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F. Edler;I. Miccoli;H. Pfnür;C. Tegenkamp
表面输运实验可以全面地研究表面低维结构的电子性质。然而，这种技术对原子结构的表面敏感性沿着与体相关的电子路径和内部界面的控制。在这里，我们分析了硅表面的肖特基势垒和空间电荷层的作用。通过在邻近Si（111）上沉积的金属亚单层覆盖，我们可靠地通过角度和温度依赖的原位传输测量访问亚表面传输通道。特别地，在超高真空条件下进行的高温处理导致形成表面附近的体缺陷，例如SiC-晶体。显然，这些缺陷充当p型掺杂剂，并且容易过度补偿轻n掺杂Si衬底。
Electronic properties of low dimensional structures on surfaces can be comprehensively explored by surface transport experiments. However, the surface sensitivity of this technique to atomic structures comes along with the control of bulk related electron paths and internal interfaces. Here we analyzed the role of Schottky-barriers and space charge layers for Si-surfaces. By means of a metal submonolayer coverage deposited on vicinal Si (1 1 1), we reliably accessed subsurface transport channels via angle-and temperature-dependent in situ transport measurements. In particular, high temperature treatments performed under ultra high vacuum conditions led to the formation of surface-near bulk defects, eg SiC-interstitials. Obviously, these defects act as p-type dopants and easily overcompensate lightly n-doped Si substrates.
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DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
Chinese Journal of Physics 45
影响因子：
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作者：
笹谷智隆;横須賀泰輝;青木貞雄;山口直洋;宮脇 敦久;S. Hasegawa
通讯作者：
S. Hasegawa
真空退火期间硅表面的掺杂剂重新分布
DOI：
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发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Liehr;M. Renier;R. Wachnik;G. Scilla
通讯作者：
G. Scilla
Si(111)7×7表面的非金属输运特性
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
Takehiro Tanikawa;K. Yoo;I. Matsuda;S. Hasegawa;Y. Hasegawa
通讯作者：
Y. Hasegawa
影响因子：
8.6
作者：
Crain, JN;Kirakosian, A;Himpsel, FJ
通讯作者：
Himpsel, FJ
影响因子：
19.6
作者：
Zhang, Tong;Cheng, Peng;Xue, Qi-Kun
通讯作者：
Xue, Qi-Kun