Carrier extraction behaviour in type II GaSb/GaAs quantum ring solar cells
Carrier extraction behaviour in type II GaSb/GaAs quantum ring solar cells
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II 型 GaSb/GaAs 量子环太阳能电池中的载流子提取行为
DOI：
10.1088/0268-1242/29/3/035014
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发表时间：
2014
影响因子：
1.9
通讯作者：
Fujita H
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fujita H
量子点（QD）或量子环（QR）纳米结构引入GaAs单结太阳能电池中，由于亚带隙光子吸收，在GaAs吸收边以上显示出增强的光响应。然而，为了进一步提高太阳能电池的性能，需要更好地理解量子点和量子点的光生载流子提取机制。在这项工作中，我们已经使用了直接激发技术，研究II型GaSb/GaAs量子环太阳能电池使用1064 nm的红外激光，这使我们能够激发电子空穴对直接在GaSb的量子点，而不激发GaAs主机材料。电流-电压特性曲线的温度和激光强度依赖性表明，在0 V和300 K下，电子发射过程对光电流的贡献占主导地位，约占总光电流的98.9%。虽然隧穿过程只给出了一个低的贡献的光电流，增强的隧穿电流时，清楚地观察到施加一个外部电场。
The introduction of quantum dot (QD) or quantum ring (QR) nanostructures into GaAs single-junction solar cells has shown enhanced photo-response above the GaAs absorption edge, because of sub-bandgap photon absorption. However, to further improve solar cell performance a better understanding of the mechanisms of photogenerated carrier extraction from QDs and QRs is needed. In this work we have used a direct excitation technique to study type II GaSb/GaAs quantum ring solar cells using a 1064 nm infrared laser, which enables us to excite electron–hole pairs directly within the GaSb QRs without exciting the GaAs host material. Temperature and laser intensity dependence of the current–voltage characteristics revealed that the thermionic emission process produced the dominant contribution to the photocurrent and accounts for 98.9% of total photocurrent at 0 V and 300 K. Although the tunnelling process gives only a low contribution to the photocurrent, an enhancement of the tunnelling current was clearly observed when an external electric field was applied.
GaSb/GaAs 量子环太阳能电池的增强红外光响应
影响因子：
4
作者：
Carrington P
通讯作者：
Carrington P
影响因子：
3.2
作者：
Hwang, Jinyoung;Martin, Andrew J.;Phillips, Jamie D.
通讯作者：
Phillips, Jamie D.
II型量子环系综中单载流子充电的光学观测
影响因子：
4
作者：
R. Young;Ep Erwin Smakman;A. Sánchez;P. Hodgson;P. Koenraad;M. Hayne
通讯作者：
M. Hayne