Ge/Si quantum dots thin film solar cells
Ge/Si quantum dots thin film solar cells
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Ge/Si量子点薄膜太阳能电池
DOI：
10.1063/1.4818999
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发表时间：
2013-08
影响因子：
4
通讯作者：
Z. Liu, T. Zhou, L. Li, Y. H.Zuo, et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Z. Liu, T. Zhou, L. Li, Y. H.Zuo, et al.
采用双真空化学气相沉积法在n+-Si（001）衬底上制备了30层Ge/Si量子点（QDs）薄膜p-i-n太阳电池（SC）。与未加Ge量子点的SC相比，添加Ge量子点的SC在红外区的外量子效率和短路电流密度均有所提高。然而，它们的开路电压和效率下降。p型Ge/Si量子点SC的开路电压在低温下显著恢复，这是由于复合中心的抑制和载流子寿命的延长。
Thin film p-i-n solar cells (SCs) with 30 bilayers undoped or p-type self-assembled Ge/Si quantum dots (QDs) were fabricated on n+-Si(001) substrates by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. Compared with the SCs without Ge QDs, the external quantum efficiency in infrared region and the short-circuit current densities of the SCs with Ge QDs increased. However, their open-circuit voltages and efficiencies decreased. The open circuit voltages of p-type Ge/Si QDs SCs recovered significantly at low temperature, which was due to the suppression of recombination centers and longer carrier lifetime.
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影响因子：
1.2
作者：
A. Manoogian;J. Woolley
通讯作者：
A. Manoogian;J. Woolley
DOI：
10.1088/0022-3727/43/50/505303
发表时间：
2010-12
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Xuefeng Liu;D. Leadley
通讯作者：
Xuefeng Liu;D. Leadley
DOI：
10.1002/pssa.200881595
发表时间：
2009-08
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
M. Meduňa;O. Caha;M. Keplinger;J. Stangl;G. Bauer;G. Mussler;D. Grützmacher
通讯作者：
M. Meduňa;O. Caha;M. Keplinger;J. Stangl;G. Bauer;G. Mussler;D. Grützmacher
影响因子：
29.4
作者：
Luque, Antonio;Marti, Antonio
通讯作者：
Marti, Antonio
影响因子：
3.5
作者：
Kechiantz, A. M.;Kocharyan, L. M.;Kechiyants, H. M.
通讯作者：
Kechiyants, H. M.