Joint effect of gate bias and light illumination on metallic LaAlO3/SrTiO3 interface
Joint effect of gate bias and light illumination on metallic LaAlO3/SrTiO3 interface
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栅极偏压和光照对金属 LaAlO3/SrTiO3 界面的联合影响
DOI：
10.1063/1.5009790
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发表时间：
2017-12
影响因子：
4
通讯作者：
Jirong Sun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhihuan Yang;Yuansha Chen;Hongrui Zhang;Hailin Huang;Shufang Wang;Shuanhu Wang;Baogen Shen;Jirong Sun
在15~300K温度范围内，系统地研究了LaAlO_3/SrTiO_3金属界面的栅偏压和光照的联合效应。结果表明，光激发显著地增强了金属二维电子气的门控效应。然而，它的影响强烈地依赖于温度；它在低温度和高温下很强，在中间温度范围内很弱。有证据表明，放大的选通效应源于增强的载流子耗尽，而霍尔迁移率几乎不受影响。通过重复电循环来诱导门控过程的加速以及以对门控效应的门控历史的强烈依赖为标志的训练效应，这表明由于氧迁移和迁移路径的记忆而导致的原子重新配置。
We presented a systemic investigation on the joint effect of gate bias and light illumination on a metallic LaAlO3/SrTiO3 interface in the temperature range from 15 K to 300 K. We showed that the photo excitation significantly enhanced the gating effect for the metallic two-dimensional electron gas. However, its effect is strongly temperature dependent; it is strong at low and high temperatures, and weak in the intermediate temperature range. There are evidences that the amplified gating effect stemmed from enhanced carrier depletion while the Hall mobility remains nearly unaffected. Acceleration of the gating process, together with a training effect marked by a strong dependence on gating history of the getting effect, is induced by repeating the electric cycling, indicating atomic reconfiguration due to oxygen migration and the memory of the migration paths.
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DOI：
10.4018/978-1-59140-053-0.ch001
发表时间：
2003
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
M. Rafanelli
通讯作者：
M. Rafanelli
影响因子：
8.6
作者：
Caviglia, A. D.;Gabay, M.;Triscone, J. -M.
通讯作者：
Triscone, J. -M.
影响因子：
56.9
作者：
Thiel, S.;Hammerl, G.;Mannhart, J.
通讯作者：
Mannhart, J.
SrTiO3 基异质界面晶格偏振增强场效应的证据
影响因子：
4.6
作者：
Y.Li;H.R.Zhang;Y.Lei;Y.Z.Chen;N. Pryds;Baogen Shen;Jirong Sun
通讯作者：
Jirong Sun
DOI：
10.1017/9781108656726.003
发表时间：
2020-07
期刊：
English around the World
影响因子：
--
作者：
通讯作者：
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