Study on the effects of indentation-induced dislocations on the detector performance of CdZnTe crystals
Study on the effects of indentation-induced dislocations on the detector performance of CdZnTe crystals
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压痕诱发位错对CdZnTe晶体探测器性能影响的研究
DOI：
10.1063/1.5002761
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发表时间：
2017-12
影响因子：
3.2
通讯作者：
Wanqi Jie
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xu Fu;Yadong Xu;Yaxu Gu;Ningbo Jia;Lingyan Xu;Gangqiang Zha;Tao Wang;Wanqi Jie
研究了压痕诱发位错对CdZnTe探测器光谱性能和CdZnTe晶体深层缺陷的影响。测定了生长样品中电子的迁移寿命积（μτ）为1.2
The effects of indentation-induced dislocations on spectroscopic performances of CdZnTe detectors and on the deep-level defects of CdZnTe crystals are studied. The mobility-lifetime product (μτ) for electrons of the as-grown sample is determined to be 1.2
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