Hysteretic Photochromic Switching (HPS) in Doubly Doped GaN(Mg):Eu-A Summary of Recent Results.
Hysteretic Photochromic Switching (HPS) in Doubly Doped GaN(Mg):Eu-A Summary of Recent Results.
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DOI：
10.3390/ma11101800
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发表时间：
2018-09-22
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Boćkowski M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Edwards PR;O'Donnell KP;Singh AK;Cameron D;Lorenz K;Yamaga M;Leach JH;Kappers MJ;Boćkowski M
铕是 GaN 中研究最多、了解最少的稀土离子 (REI) 掺杂剂。在尝试通过将 Eu+ 注入 p 型 GaN 模板来提高红色 GaN 发光二极管 (LED) 的效率时，斯特拉斯克莱德大学团队与里斯本 IST 和 Unipress Warsaw 合作，在双掺杂 GaN(Mg):Eu 的光致发光光谱中发现了迟滞光致变色开关 (HPS)。我们最近的工作（在本贡献中进行了总结）利用了 Eu 4f 壳层内发射光谱中时间、温度和光引起的变化来推断该材料中形成的 Mg-Eu 缺陷的微观性质。除了揭示 GaN 中的 Mg 受体外，我们还提出了这些发射中心在量子信息和计算中可能发挥的作用。
Europium is the most-studied and least-well-understood rare earth ion (REI) dopant in GaN. While attempting to increase the efficiency of red GaN light-emitting diodes (LEDs) by implanting Eu+ into p-type GaN templates, the Strathclyde University group, in collaboration with IST Lisbon and Unipress Warsaw, discovered hysteretic photochromic switching (HPS) in the photoluminescence spectrum of doubly doped GaN(Mg):Eu. Our recent work, summarised in this contribution, has used time-, temperature- and light-induced changes in the Eu intra-4f shell emission spectrum to deduce the microscopic nature of the Mg-Eu defects that form in this material. As well as shedding light on the Mg acceptor in GaN, we propose a possible role for these emission centres in quantum information and computing.
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影响因子：
1
作者：
O'Donnell, K. P.;Hourahine, B.
通讯作者：
Hourahine, B.
影响因子：
4
作者：
Singh, A. K.;O'Donnell, K. P.;Prakash, R.
通讯作者：
Prakash, R.
影响因子：
4
作者：
Lany, Stephan;Zunger, Alex
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Zunger, Alex
影响因子：
4
作者：
Wang, K;Martin, RW;Briot, O
通讯作者：
Briot, O
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3.2
作者：
Mitchell, B.;Poplawsky, J.;Dierolf, V.
通讯作者：
Dierolf, V.