High PVCR Si/Si_<1-x>Ge_x DW RTD Formed with New Triple-Layer Buffer
High PVCR Si/Si_<1-x>Ge_x DW RTD Formed with New Triple-Layer Buffer
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采用新型三层缓冲器形成的高 PVCR Si/Si_<1-x>Ge_x DW RTD
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Maekawa;M.Shoji;Y.Suda
n型Si/SiGe谐振隧道二极管
DOI：
10.1016/s0921-5107(01)00785-1
发表时间：
2002
影响因子：
3.6
作者：
D. Paul;P. See;I. Zozoulenko;K. Berggren;B. Holländer;S. Mantl;N. Griffin;B. Coonan;G. Redmond;G. Crean
通讯作者：
G. Crean
具有异常温度行为的对称 Si/Si1−xGex 电子谐振隧道二极管
影响因子：
4
作者：
Ž. Matutinović‐Krstelj;Chih;X. Xiao;J. Sturm
通讯作者：
J. Sturm