Ion-implantation-enhanced chalcogenide-glass resistive-switching devices
Ion-implantation-enhanced chalcogenide-glass resistive-switching devices
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离子注入增强硫族化物玻璃电阻开关器件
DOI：
10.1063/1.4894245
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发表时间：
2014
影响因子：
4
通讯作者：
Hughes M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hughes M
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发表时间：
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通讯作者：
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通讯作者：
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通讯作者：
N. Vickers