Generation of dislocations from scratches on GaN formed during wafer fabrication and dislocation reactions during homoepitaxial growth
Generation of dislocations from scratches on GaN formed during wafer fabrication and dislocation reactions during homoepitaxial growth
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晶圆制造过程中形成的 GaN 划痕和同质外延生长过程中的位错反应产生位错
DOI：
10.35848/1347-4065/ac2ae5
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发表时间：
2021
影响因子：
1.5
通讯作者：
Tadatomo Kazuyuki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Yao Yongzhao;Noguchi Naoto;Takeda Yukihisa;Yamada Hisashi;Shimizu Mitsuaki;Tadatomo Kazuyuki
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影响因子：
2.3
作者：
T. Tanikawa;Kazuki Ohnishi;M. Kanoh;T. Mukai;T. Matsuoka
通讯作者：
T. Tanikawa;Kazuki Ohnishi;M. Kanoh;T. Mukai;T. Matsuoka
4H-SiC 中生长和变形引起的位错的同步加速器形貌研究
DOI：
10.1557/opl.2012.1141
发表时间：
2012
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
M. Dudley;H. Wang;Fangzhen Wu;S. Byrappa;S. Shun;B. Raghothamachar;E. Sanchez;G. Chung;D. Hansen;S. Mueller;M. Loboda
通讯作者：
M. Loboda
激光扫描显微断层扫描及其三维重建
影响因子：
2
作者：
T. Takamatsu;S. Fujita
通讯作者：
S. Fujita
（特邀）SiC双极器件的退化：可能原因综述及其理解最新进展
DOI：
10.1149/1.3631500
发表时间：
2011
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
P. Pirouz;A. Galeckas
通讯作者：
A. Galeckas
4H 碳化硅同质外延过程中衬底表面损伤处 c 轴螺旋位错的形核
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.295
发表时间：
2010
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
M. Dudley;Ning Zhang;Yu Zhang;B. Raghothamachar;E. Sanchez
通讯作者：
E. Sanchez