Pendio epitaxial growth of 3C-SiC on Si substrates
Pendio epitaxial growth of 3C-SiC on Si substrates
复制标题
Si 衬底上 3C-SiC 的 Pendio 外延生长
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Nishino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Shoji;M.Nakamura;K.Mitikami;T.Isshiki;S.Ohshima;S.Nishino
Si 衬底上 3C-SiC 的横向外延过度生长和 Pendeo 外延
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.245
发表时间：
2000
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
S. Saddow;G. E. Carter;B. Geil;T. Zheleva;Galyna Melnychuck;M.E. Okhuysen;M. Mazzola;R. Vispute;M. Derenge;M. Ervin;K. Jones
通讯作者：
K. Jones
GaN 薄膜中的横向和悬垂外延生长以及缺陷减少
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.1471
发表时间：
2000
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
R. Davis;O. Nam;T. Zheleva;T. Gehrke;K. Linthicum;P. Rajagopal
通讯作者：
P. Rajagopal