Reliability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on low dislocation density bulk GaN substrate: Implications of surface step edges
Reliability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on low dislocation density bulk GaN substrate: Implications of surface step edges
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低位错密度块状 GaN 衬底上的 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管的可靠性：表面台阶边缘的影响
DOI：
10.1063/1.4829062
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发表时间：
2013
影响因子：
4
通讯作者：
Killat N
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Killat N
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影响因子：
4
作者：
M. M. Bajo-M.;C. Hodges;M. Uren;Martin Kuball
通讯作者：
M. M. Bajo-M.;C. Hodges;M. Uren;Martin Kuball
AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管退化机制的光学研究：非辐射复合中心的生成
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Hodges;N. Killat;S. Kaun;M. Wong;F. Gao;T. Palacios;U. Mishra;J. Speck;D. Wolverson;M. Kuball
通讯作者：
M. Kuball
在块状 GaN 衬底上生长的 AlGaN/GaN HEMT 的非阿累尼乌斯退化
影响因子：
4.9
作者：
M. Ťapajna;N. Killat;J. Moereke;T. Paskova;K. Evans;J. Leach;X. Li;U. Ozgur;H. Morkoç;K. Chabak;A. Crespo;J. Gillespie;R. Fitch;M. Kossler;D. Walker;M. Trejo;G. Via;J. Blevins;Martin Kuball
通讯作者：
Martin Kuball
影响因子：
4
作者：
Makaram, Prashanth;Joh, Jungwoo;Thompson, Carl V.
通讯作者：
Thompson, Carl V.