Effect of stacking faults on the photoluminescence spectrum of zincblende GaN
Effect of stacking faults on the photoluminescence spectrum of zincblende GaN
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堆垛层错对闪锌矿GaN光致发光光谱的影响
DOI：
10.1063/1.5026267
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发表时间：
2018
影响因子：
3.2
通讯作者：
Church S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Church S
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堆垛层错对立方GaN外延层和立方GaN/AlN多量子阱光发射影响的STEM-CL研究
DOI：
10.1002/pssc.201400154
发表时间：
2015
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
R. M. Kemper;P. Veit;C. Mietze;Anja Dempewolf;T. Wecker;F. Bertram;J. Christen;J. Lindner;D. As
通讯作者：
D. As
厚块立方 GaN 层中六方夹杂物的比例较低
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. N. Waheeda;N. Zainal;Z. Hassan;S. Novikov;A. Akimov;A. Kent
通讯作者：
A. Kent
纳米图案 3C-SiC/Si (001) 衬底上的立方 GaN
影响因子：
4
作者：
R. M. Kemper;D. As;J. Lindner
通讯作者：
J. Lindner
在 3C-SiC 上生长的立方氮化镓层的联合拉曼光谱和 HRXRD 研究
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Rüsing;T. Wecker;G. Berth;D. As;A. Zrenner
通讯作者：
A. Zrenner
RF-MBE 生长六方和立方 GaN 的比较研究
DOI：
--
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Feuillet;F. Widmann;B. Daudin;J. Schuler;M. Arlery;J. Rouviere;N. Pelekanos;O. Briot
通讯作者：
O. Briot