Silicon with an increased content of monoatomic sulfur centers: Sample fabrication and optical spectroscopy
Silicon with an increased content of monoatomic sulfur centers: Sample fabrication and optical spectroscopy
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单原子硫中心含量增加的硅：样品制造和光谱
DOI：
10.1134/s1063782613020048
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0.7
通讯作者：
Astrov Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Astrov Y
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2 – 硅和锗中的扩散
影响因子：
7.3
作者：
W. Frank
通讯作者：
W. Frank
DOI：
--
发表时间：
1999
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影响因子：
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作者：
H. Hübers;K. Auen;S. Pavlov;E. Orlova;R. Zhukavin;V. Shastin
通讯作者：
V. Shastin
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1.9
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通讯作者：
V. Shuman
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DOI：
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发表时间：
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DOI：
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发表时间：
1998
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影响因子：
--
作者：
E. Orlova;R.Ch. Zhukavin;S. Pavlov;V. Shastin
通讯作者：
V. Shastin