Charge defects-induced electrical properties in bismuth ferrite bilayered thin films
Charge defects-induced electrical properties in bismuth ferrite bilayered thin films
复制标题
铁酸铋双层薄膜中电荷缺陷引起的电性能
DOI：
10.1016/j.materresbull.2013.03.042
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发表时间：
2013-08
影响因子：
5.4
通讯作者：
Dingquan Xiao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiagang Wu;Binyu Zhang;Xiaopeng Wang;John Wang;Jianguo Zhu;Dingquan Xiao
研究了BiFeO 3/Bi0.90La0.10Fe0.85Zn0.15O3（BFO/BLFZO）双层薄膜中电荷缺陷对薄膜电学性能的影响，并通过改变薄膜的溅射沉积温度来控制电荷缺陷的浓度。值得注意的是，随着沉积温度的升高，这些双层膜经历了从（100）到（110）的取向转变。增强的介电，铁电，和疲劳行为已被证明在这些双层沉积在一个最佳的生长窗口。在BFO/BLFZO双层膜中，2 Pr ~138.2μC/cm ~ 2，2 Ec ~657.3kV/cm，εr~189，tanδ~2.72%，具有较好的电学性能。
Effects of charge defects on electrical properties of BiFeO3/Bi0.90La0.10Fe0.85Zn0.15O3(BFO/BLFZO) bilayered thin films are investigated, and the concentration of charge defects is controlled by changing their deposition temperatures during sputtering. It is of great interest to note that these bilayers endure an orientation transition from (100) to (110) with increasing deposition temperatures. An enhanced dielectric, ferroelectric, and fatigue behavior has been demonstrated in these bilayers deposited at an optimum growth window. A better electrical behavior of 2Pr~138.2μC/cm2, 2Ec~657.3kV/cm, εr~189, and tanδ~2.72% has been demonstrated in BFO/BLFZO bilayers, and the underlying physical mechanism is also addressed.
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影响因子：
2.1
作者：
V. Stancu;C. Drăgoi;V. Kuncser;G. Schinteie;L. Trupina;E. Vasile;L. Pintilie
通讯作者：
V. Stancu;C. Drăgoi;V. Kuncser;G. Schinteie;L. Trupina;E. Vasile;L. Pintilie
影响因子：
2.5
作者：
S. Habouti;C. Solterbeck;M. Es‐Souni
通讯作者：
S. Habouti;C. Solterbeck;M. Es‐Souni
影响因子：
4
作者：
Jiagang Wu;Guangqing Kang;Huajun Liu;John Wang
通讯作者：
Jiagang Wu;Guangqing Kang;Huajun Liu;John Wang
影响因子：
2.7
作者：
V. Mathe;K. K. Patankar-K.;R. Patil;C. Lokhande
通讯作者：
V. Mathe;K. K. Patankar-K.;R. Patil;C. Lokhande
DOI：
10.1002/pssr.201004473
发表时间：
2011-02
期刊：
physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters
影响因子：
--
作者：
Jiagang Wu;John Wang;D. Xiao;Jianguo Zhu
通讯作者：
Jiagang Wu;John Wang;D. Xiao;Jianguo Zhu