Rapid thermal annealing and photoluminescence of type-II GaSb single monolayer quantum dot stacks
Rapid thermal annealing and photoluminescence of type-II GaSb single monolayer quantum dot stacks
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II型GaSb单层量子点堆叠的快速热退火和光致发光
DOI：
10.1088/0022-3727/46/30/305104
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Mahajumi A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Mahajumi A
研究了快速热退火对GaSb/GaAs Ⅱ型单层量子点和Sttranski-Krastanow生长量子环的光致发光的影响。在550 ℃至800 ℃的温度下进行生长后的快速热退火，导致光致发光发射强度增加，两种类型的叠层的峰值能量蓝移，以及热淬火的活化能的变化。这种行为起源于锑-砷混合和使用两种不同的生长机制形成的纳米结构的形态变化。
The effects of rapid thermal annealing on the photoluminescence emission obtained from ten-layer stacks of GaSb/GaAs type-II single monolayer quantum dots and Stranski–Krastanow grown quantum rings have been studied and interpreted. Post-growth rapid thermal annealing was performed with proximity capping at temperatures from 550 C to 800 C, resulting in an increase in photoluminescence emission intensity and a blue shift in peak energy in both types of stacks, together with changes in the activation energy for thermal quenching. This behaviour originates from Sb–As intermixing and changes in morphology of the nanostructures formed using the two different growth mechanisms.
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