A Fully Integrated 30-to-160GHz Coherent Detector with a Broadband Frequency Comb in 65nm CMOS
A Fully Integrated 30-to-160GHz Coherent Detector with a Broadband Frequency Comb in 65nm CMOS
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具有 65nm CMOS 宽带频率梳的全集成 30 至 160GHz 相干检测器
DOI：
10.23919/eumic.2019.8909574
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Babakhani, Aydin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jamali, Babak;Babakhani, Aydin
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25.5 采用 0.13μm SiGe BiCMOS 的 320GHz 分谐波混合相干成像器
DOI：
10.1109/isscc.2016.7418092
发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)
影响因子：
--
作者：
Chen Jiang;A. Mostajeran;R. Han;Mohammad Emadi;H. Sherry;A. Cathelin;E. Afshari
通讯作者：
E. Afshari
用于检测 90 nm SiGe BiCMOS 中皮秒脉冲的非线性脉冲采样器
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
European Microwave Integrated Circuits Conference
影响因子：
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作者：
Himanshu Aggrawal;A. Babakhani
通讯作者：
A. Babakhani
影响因子：
5.4
作者：
Al Hadi, Richard;Sherry, Hani;Pfeiffer, Ullrich R.
通讯作者：
Pfeiffer, Ullrich R.
25.3 利用电磁散射的 40 至 330GHz 无合成器太赫兹片上光谱仪
DOI：
10.1109/isscc.2016.7418090
发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)
影响因子：
--
作者：
Xue Wu;K. Sengupta
通讯作者：
K. Sengupta
17.6 使用 65nm CMOS 中的双毫米波梳进行快速、节能的分子传感：具有 5.2mW 辐射功率和 14.6 至 19.5dB 噪声系数的 220 至 320GHz 光谱仪
DOI：
10.1109/isscc.2017.7870381
发表时间：
2017
期刊：
2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)
影响因子：
--
作者：
Cheng Wang;R. Han
通讯作者：
R. Han