Stretching in Time of GaN Active Gate Driving Profiles to Adapt to Changing Load Current
Stretching in Time of GaN Active Gate Driving Profiles to Adapt to Changing Load Current
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延长 GaN 有源栅极驱动曲线的时间以适应不断变化的负载电流
DOI：
10.1109/ecce.2018.8557531
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Dalton J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dalton J
DOI：
10.1109/apec.2017.7930970
发表时间：
2017-05
期刊：
2017 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC)
影响因子：
--
作者：
Jeremy J. O. Dalton;Jianjing Wang;H. Dymond;Dawei Liu;D. Pamunuwa;B. Stark;N. McNeill;S. Hollis
通讯作者：
Jeremy J. O. Dalton;Jianjing Wang;H. Dymond;Dawei Liu;D. Pamunuwa;B. Stark;N. McNeill;S. Hollis
使用 SiNx 沉积控制 AlGaN/GaN HEMT 中缓冲器引起的电流崩塌
影响因子：
3.1
作者：
W. M. Waller;M. Gajda;S. Pandey;J. Donkers;D. Calton;J. Croon;J. Sonsky;M. Uren;Martin Kuball
通讯作者：
Martin Kuball