Control of Buffer-Induced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs Using SiNx Deposition
Control of Buffer-Induced Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs Using SiNx Deposition
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使用 SiNx 沉积控制 AlGaN/GaN HEMT 中缓冲器引起的电流崩塌
DOI：
10.1109/ted.2017.2738669
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发表时间：
2017
影响因子：
3.1
通讯作者：
Martin Kuball
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
W. M. Waller;M. Gajda;S. Pandey;J. Donkers;D. Calton;J. Croon;J. Sonsky;M. Uren;Martin Kuball
研究表明，低压化学气相沉积氮化硅（SiNx）表面钝化的化学计量比会改变硅基氮化镓功率高电子迁移率晶体管（HEMT）外延堆叠顶部的垂直导电性。这会改变高压操作期间碳掺杂氮化镓层中存储的电荷，并能够直接控制HEMT中与缓冲层相关的电流崩塌。衬底偏压斜坡用于识别碳掺杂氮化镓（C:GaN）电荷俘获和垂直泄漏的变化。沟道长度依赖性表明碳掺杂氮化镓（C:GaN）中存在横向导电性，且在欧姆接触下方垂直导电性局部增加。确定了一种最佳的氮化硅工艺配方，该配方可同时实现低电流崩塌和低漏极泄漏。
The stoichiometry of low-pressure chemical vapor deposition SiNx surface passivation is shown to change vertical conductivity at the top of the epitaxial stack in GaN-on-Si power high-electron mobility transistors (HEMTs). This changes the charge stored in the carbon-doped GaN layer during high-voltage operation, and allows direct control of buffer-related current collapse in HEMTs. Substrate bias ramps are used to identify the changes in C:GaN charge trapping and vertical leakage. Channel length dependence indicates a lateral conductivity in the C:GaN with a localized increase in vertical conductivity under the ohmic contacts. An optimum SiNx recipe is identified which simultaneously delivers low current collapse and low drain leakage.
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影响因子：
4.9
作者：
M. Uren;M. Caesar;S. Karboyan;P. Moens;P. Vanmeerbeek;Martin Kuball
通讯作者：
M. Uren;M. Caesar;S. Karboyan;P. Moens;P. Vanmeerbeek;Martin Kuball
影响因子：
3.1
作者：
Uren, Michael J.;Moereke, Janina;Kuball, Martin
通讯作者：
Kuball, Martin
影响因子：
3.1
作者：
Chatterjee, Indranil;Uren, Michael J.;Kuball, Martin
通讯作者：
Kuball, Martin
影响因子：
3.2
作者：
Pooth, Alexander;Uren, Michael J.;Kuball, Martin
通讯作者：
Kuball, Martin
影响因子：
4
作者：
Uren, Michael J.;Caesar, Markus;Kuball, Martin
通讯作者：
Kuball, Martin