Accelerated aging test for gate-oxide degradation in SiC MOSFETs for condition monitoring
Accelerated aging test for gate-oxide degradation in SiC MOSFETs for condition monitoring
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用于状态监测的 SiC MOSFET 栅极氧化物退化的加速老化测试
DOI：
10.1016/j.microrel.2020.113777
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发表时间：
2020
影响因子：
1.6
通讯作者：
Keiji Wada
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shin-Ichiro Hayashi;Keiji Wada
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R. Beaupre