Datasheet Based SiC MOSFET Models for Accurate Switching Waveform Prediction in Virtual Prototyping Applications
Datasheet Based SiC MOSFET Models for Accurate Switching Waveform Prediction in Virtual Prototyping Applications
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基于数据表的 SiC MOSFET 模型，可在虚拟原型应用中准确预测开关波形
DOI：
10.1109/dmc58182.2023.10412452
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Zhang Z
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhang Z
PEEC-半导体耦合仿真多展开点模型降阶的实现
DOI：
10.1109/dmc55175.2022.9906539
发表时间：
2022
期刊：
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影响因子：
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作者：
Blakaj V
通讯作者：
Blakaj V
功率 MOSFET 基础知识：了解栅极电荷并用它来评估开关性能
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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作者：
Jess Brown
通讯作者：
Jess Brown
开发用于电力电子系统虚拟样机的电力半导体器件模型
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
Vehicle Power and Propulsion Conference
影响因子：
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作者：
Ke Li;Paul L. Evans;Mark C. Johnson
通讯作者：
Mark C. Johnson