pn junction formation by Si paste coated on metal substrates
pn junction formation by Si paste coated on metal substrates
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通过在金属基底上涂覆硅浆料形成 pn 结
DOI：
10.1007/s10854-019-00980-3
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Kato Yoshimine
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li Yan;Inokuchi Hiroshi;Orita Takahiro;Maejima Kunihiko;Nakashima Kensuke;Ooue Satoshi;Matsumoto Hiroshige;Kato Yoshimine
本工作采用行星式米勒研磨硅源材料的方法制备了p型和n型硅浆料。通过在金属衬底上涂覆硅浆，然后在Ar或Ar + H2气氛下退火，形成pn同质结。发现最佳退火温度为约1050 °C，其表现出最低的电阻率。器件具有典型的小光伏二极管整流特性。预计Si浆料可能具有用于低成本器件制造（诸如太阳能电池）的潜力。可以跳过所有的Cz Si锭生长过程，因此预期可以大大降低太阳能电池的制造成本。
In this work, p- and n-type Si pastes were prepared in a way by utilizing a planetary ball miller to pulverize Si source material. pn homojunction was formed by coating Si pastes onto metal substrates, followed by annealing under Ar or Ar + H2atmosphere. The optimal annealing temperature was found to be around 1050 °C that exhibits the lowest resistivity. A typical rectifying property of diode with small photovoltaic was observed for the device fabricated. It is anticipated that Si pastes could have potential for low cost device fabrication such as solar cells. All Cz Si ingot growth procedures could be skipped, consequently it is expected that the manufacturing cost for solar cell can be greatly reduced.
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