Flexible Oxide-Based Thin-Film Transistors on Plastic Substrates for Logic Applications
Flexible Oxide-Based Thin-Film Transistors on Plastic Substrates for Logic Applications
复制标题
用于逻辑应用的塑料基板上的柔性氧化物薄膜晶体管
DOI：
10.1016/j.jmst.2014.07.009
复制
发表时间：
2015-07
影响因子：
10.9
通讯作者：
Guodong Wu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ning Liu;Hui Xiao;Changqing Chen;Guodong Wu
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了磷掺杂(磷掺杂)纳米颗粒二氧化硅薄膜。获得了∼3.2X×10−4S/cm的高质子电导率和∼3.2xμF/cm2的大双电层电容。采用掺磷纳米颗粒二氧化硅薄膜作为栅极，在塑料衬底上实现了柔性共面栅EDL薄膜晶体管(TFT)的室温自组装。由于EDL电容很大，这种TFT表现出1伏的超低工作电压，18.9平方厘米/伏的大场效应迁移率，85毫伏/十的亚阈值小摆幅和107的高电流通断比。此外，EDL TFT可以工作在双共面栅模式下。实现了逻辑运算。结果表明，掺磷纳米颗粒二氧化硅薄膜门控的TFT在低功率柔性电子器件中具有潜在的应用前景。
Phosphorus doped (P-doped) nanogranular SiO2films have been deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition. A high proton conductivity of ∼3.2 × 10−4S/cm and a large electric double layer (EDL) capacitance of ∼3.2 μF/cm2have been obtained. Flexible coplanar-gate EDL thin film transistors (TFTs) gated by P-doped nanogranular SiO2films are self-assembled on plastic substrates at room temperature. Due to the big EDL capacitance, such TFTs show ultra-low voltage operation of 1 V, a large field-effect mobility of 18.9 cm2/Vs, a small subthreshold swing of 85 mV/decade and a high current on/off ratio of 107. Furthermore, the EDL TFT could work in dual coplanar gate mode. AND logic operation is realized. Our results demonstrate that such TFTs gated by P-doped nanogranular SiO2films have potential applications in low-power flexible electronics.
登录
查看更多内容
影响因子：
6.7
作者：
L. Zhu;Jia Sun;Guodong Wu;Hong Liang Zhang;Qing Wan
通讯作者：
L. Zhu;Jia Sun;Guodong Wu;Hong Liang Zhang;Qing Wan
DOI：
10.1002/9780470710609
发表时间：
2010-04
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
A. Facchetti;T. Marks
通讯作者：
A. Facchetti;T. Marks
用于逻辑应用的纸基板上自组装的柔性质子/电子耦合神经元晶体管
影响因子：
4
作者：
Dou, Wei;Zhu, Li Qiang;Wan, Qing
通讯作者：
Wan, Qing
影响因子：
4
作者：
Ono, S.;Seki, S.;Takeya, J.
通讯作者：
Takeya, J.
影响因子：
64.8
作者：
Huitema, HEA;Gelinck, GH;de Leeuw, DM
通讯作者：
de Leeuw, DM