Local internal quantum efficiency of a green light emitting InGaN/GaN quantum well
Local internal quantum efficiency of a green light emitting InGaN/GaN quantum well
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绿光发射 InGaN/GaN 量子阱的局部内量子效率
DOI：
10.1002/pssb.201147281
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Peter
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Danhof;U. T. Schwarz;T. Meyer;C. Vierheilig;M. Peter
在发射绿色光（515 nm）的InGaN/GaN多量子阱样品上进行了激发密度相关的微光致发光测量，该样品具有低穿透位错密度（5 × 107 cm −2）。对于所观察到的结构，我们发现在不同效率的点处的局部内量子效率（IQE）曲线的不同形状。根据标准模型（包括Shockley-Read-Hall（SRH）、辐射复合和三阶损耗项（下降））对测得的局部IQE曲线进行评估，得出以下结论：SRH非辐射复合在亚微米长度尺度上空间变化，而其他两项保持不变。
Excitation density‐dependent microphotoluminescence measurements were performed on a green light (515 nm) emitting InGaN/GaN multiquantum well sample of low threading dislocation density (5 × 107cm−2). For the observed structure we find a different shape of the local internal quantum efficiency (IQE) curve at spots of different efficiency. Evaluation of the measured local IQE curves in terms of the standard model including Shockley–Read–Hall (SRH), radiative recombination, and a third order loss term (droop) leads to the conclusion that SRH nonradiative recombination varies spatially on a sub‐micrometer length scale while both other terms remain constant.
影响因子：
1.5
作者：
K. Okamoto;Jungkwon Choi;Y. Kawakami;M. Terazima;T. Mukai;S. Fujita
通讯作者：
K. Okamoto;Jungkwon Choi;Y. Kawakami;M. Terazima;T. Mukai;S. Fujita
绿光发射InGaN/GaN量子阱表面形貌与光致发光涨落的相关性
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Danhof;C. Vierheilig;U. Schwarz;T. Meyer;M. Peter;B. Hahn;M. Maier;J. Wagner
通讯作者：
J. Wagner
影响因子：
3.7
作者：
Kaneta, A.;Funato, M.;Kawakami, Y.
通讯作者：
Kawakami, Y.