Surface preparation of Si(001) substrate using low-pH HF solution
Surface preparation of Si(001) substrate using low-pH HF solution
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使用低 pH HF 溶液对 Si(001) 衬底进行表面处理
DOI：
10.1063/1.1915515
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发表时间：
2005
影响因子：
4
通讯作者：
M. Nishizawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Morita;M. Nishizawa
我们使用低pH（pH<1）HF溶液（LPH）和随后在H2中的低温（750° C）退火制备了具有良好有序台阶和平台结构的原子级平坦Si（001）表面。平坦化归因于LPH处理的表面上的Si原子的增强的迁移，因为各向异性蚀刻被低浓度的OH离子抑制。将H2退火温度降低到低于Si氧化物的分解温度，使我们能够在由厚器件隔离氧化物包围的窗口区域中形成原子级平坦的Si（001）表面。
We prepared atomically flat Si(001) surfaces that have well-ordered step-and-terrace structures using a low-pH (pH<1) HF solution (LPH) and subsequent low-temperature (750°C) annealing in H2. The flattening was attributed to the enhanced migration of Si atoms on the LPH-treated surface because anisotropic etching is suppressed by the low concentration of OH ions. The reduction in the H2 annealing temperature to below the decomposition temperature of Si oxide enabled us to form an atomically flat Si(001) surface in a window area surrounded by a thick device isolation oxide.
影响因子：
4
作者：
HIGASHI, GS;CHABAL, YJ;RAGHAVACHARI, K
通讯作者：
RAGHAVACHARI, K
DOI：
10.1116/1.575980
发表时间：
1989-05-01
期刊：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
影响因子：
--
作者：
CHABAL, YJ;HIGASHI, GS;BURROWS, VA
通讯作者：
BURROWS, VA